All Archives

Pour offrir les meilleures expériences, nous utilisons des technologies telles que les cookies pour stocker et/ou accéder aux informations des appareils. Le fait de consentir à ces technologies nous permettra de traiter des données telles que le comportement de navigation ou les ID uniques sur ce site. Le fait de ne pas consentir ou de retirer son consentement peut avoir un effet négatif sur certaines caractéristiques et fonctions.

Fonctionnel Always active

L’accès ou le stockage technique est strictement nécessaire dans la finalité d’intérêt légitime de permettre l’utilisation d’un service spécifique explicitement demandé par l’abonné ou l’utilisateur, ou dans le seul but d’effectuer la transmission d’une communication sur un réseau de communications électroniques.

Préférences

L’accès ou le stockage technique est nécessaire dans la finalité d’intérêt légitime de stocker des préférences qui ne sont pas demandées par l’abonné ou l’internaute.

Statistiques

Le stockage ou l’accès technique qui est utilisé exclusivement à des fins statistiques. Le stockage ou l’accès technique qui est utilisé exclusivement dans des finalités statistiques anonymes. En l’absence d’une assignation à comparaître, d’une conformité volontaire de la part de votre fournisseur d’accès à internet ou d’enregistrements supplémentaires provenant d’une tierce partie, les informations stockées ou extraites à cette seule fin ne peuvent généralement pas être utilisées pour vous identifier.

Marketing

L’accès ou le stockage technique est nécessaire pour créer des profils d’internautes afin d’envoyer des publicités, ou pour suivre l’utilisateur sur un site web ou sur plusieurs sites web ayant des finalités marketing similaires.

The science behind our technology

Filter articles by topic:

A single hole spin with enhanced coherence in natural silicon

2022

Statistical and Electrical Modeling of FDSOI Four-Gate Qubit MOS Devices at Room Temperature

2021

Distant spin entanglement via fast and coherent electron shuttling

2021

Scaling silicon-based quantum computing using CMOS technology

2021

Variability Evaluation of 28nm FD-SOI Technology at Cryogenic Temperatures down to 100mK for Quantum Computing

2020

Electrostatics and channel coupling on 28 nm FD-SOIfor cryogenic applications

2020

Integrated Variability Measurements of 28 nm FDSOI MOSFETs down to 4.2 K for Cryogenic CMOS Applications

2020

Performance and Low-Frequency Noise of 22-nm FDSOI Down to 4.2 K for Cryogenic Applications

2020

Coherent control of individual electron spins in a two-dimensional quantum dot array (9 dots)

2020

Gate-based high fidelity spin readout in a CMOS device

2019