First demonstration of a CMOS over CMOS 3D VLSI Cool Cube™ integration on 300mm wafers

Abstract

For the first time, a full 3D CMOS over CMOS CoolCubeTM integration is demonstrated with a top level compatible with state of the art high performance FDSOI (Fully-Depleted Silicon On Insulator) process requirements such as High-k/metal gate or raised source and drain. Functional 3D inverters with either PMOS or NMOS on the top level are highlighted. Furthermore, Si layer transfer above a 28nm W Metal 1 level of an industrial short loop and the return in a front end environment is presented, confirming the industrial compatibility of CoolCubeTM integration.

All authors

L. Brunet, P. Batude, C. Fenouillet-Beranger, P. Besombes, L. Hortemel, F. Ponthenier, B. Previtali, C. Tabone, A.Royer, C. Agraffeil, C. Euvrard-Colnat, A. Seignard, C. Morales, F. Fournel,L. Benaissa, T. Signamarcheix, P. Besson, M. Jourdan, R. Kachtouli, V. Benevent, J.-M. Hartmann, C. Comboroure, N. Allouti, N. Posseme, C. Vizioz, C. Arvet, S. Barnola, S. Kerdiles, L. Baud, L. Pasini, C.-M. V. Lu, F. Deprat, A. Toffoli, G. Romano, C. Guedj, V. Delaye, F. Boeuf, O. Faynot and M. Vinet

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First demonstration of a CMOS over CMOS 3D VLSI Cool Cube™ integration on 300mm wafers

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